عدنان أحمد البحيصي
01-09-2003, 12:42 PM
تمكن باحثون بشركة «آي.بي.ام» الاميركية من تطوير رقاقة الكترونية تعمل مثل كمبيوتر عملاق، حيث يمكنها تنفيذ تريليون عملية في الثانية، ويتوقع ان يتم انتاجها في نهاية العالم الجاري. وتحمل الرقاقة اسم «تريبس» وتعتمد بنيتها على تنفيذ العمليات داخل دوائرها بطريقة التوازي وليس بطريقة التوالي التي تنفذ فيها العمليات الواحدة تلو الأخرى.
وفي الولايات المتحدة أيضاً، طرحت شركة «انتل» الاميركية أحدث انتاجها من الرقاقات الالكترونية والتي يبلغ قياسها 90 نانوميترا، وهي تدخل في تصنيع أشباه الموصلات الأكثر تطوراً. وقد استخدمت «انتل» هذه التقنية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقاقات ذات ذاكرة قياسية لم يسبق لها مثيل. وستعمد «انتل» إلى تطبيق هذه التقنية على نطاق واسع خلال العام المقبل لتصنيع أعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقاقات قياس 300 ملليمتر.
وأوضح أحد الخبراء أن عملية تصنيع الرقاقات قياس 90 نانوميترا تجمع ما بين الأداء الأعلى والترانزيستورات ذات الطاقة الأقل والسيليكون المشدود والموصلات النحاسية ذات السرعة العالية ومادة جديدة عازلة للكهرباء. وتعد هذه هي المرة الأولى التي يتم فيها دمج جميع هذه التقنيات في عملية تصنيع واحدة، كما تعتبر الرقاقات قياس 90 نانوميترا بمثابة الجيل الثاني بعد الرقاقة قياس 0.13 مايكرون التي تستخدمها «انتل» حالياً لتصنيع الجزء الأكبر من أشباه الموصلات.
الجدير بالذكر ان «انتل» كانت قد استخدمت في فبراير الماضي التقنية الخاصة بتصنيع الرقاقة قياس 90 نانوميترا لتصنيع رقاقات «سرام» التي تعتبر الأعلى سعة في العالم، حيث تستطيع تخزين 52 مليون خانة فردية من المعلومات.
وفي الولايات المتحدة أيضاً، طرحت شركة «انتل» الاميركية أحدث انتاجها من الرقاقات الالكترونية والتي يبلغ قياسها 90 نانوميترا، وهي تدخل في تصنيع أشباه الموصلات الأكثر تطوراً. وقد استخدمت «انتل» هذه التقنية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقاقات ذات ذاكرة قياسية لم يسبق لها مثيل. وستعمد «انتل» إلى تطبيق هذه التقنية على نطاق واسع خلال العام المقبل لتصنيع أعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقاقات قياس 300 ملليمتر.
وأوضح أحد الخبراء أن عملية تصنيع الرقاقات قياس 90 نانوميترا تجمع ما بين الأداء الأعلى والترانزيستورات ذات الطاقة الأقل والسيليكون المشدود والموصلات النحاسية ذات السرعة العالية ومادة جديدة عازلة للكهرباء. وتعد هذه هي المرة الأولى التي يتم فيها دمج جميع هذه التقنيات في عملية تصنيع واحدة، كما تعتبر الرقاقات قياس 90 نانوميترا بمثابة الجيل الثاني بعد الرقاقة قياس 0.13 مايكرون التي تستخدمها «انتل» حالياً لتصنيع الجزء الأكبر من أشباه الموصلات.
الجدير بالذكر ان «انتل» كانت قد استخدمت في فبراير الماضي التقنية الخاصة بتصنيع الرقاقة قياس 90 نانوميترا لتصنيع رقاقات «سرام» التي تعتبر الأعلى سعة في العالم، حيث تستطيع تخزين 52 مليون خانة فردية من المعلومات.